名稱

多功能高解析掃描式電子顯微鏡

分機電話

4087

位置

材料大樓 B3024室

參與教授

張志溥,張六文

設備

本電子顯微鏡的特色如下：

1.      採用熱場發射電子源，加速電壓為 15 kV 時，解析度可達 1 nm。

2.      除了傳統的二次電子與反彈電子偵測器之外，額外配備 in-lens 二次電子偵測器與前彈電子偵測器，對試片表面立體形貌、成分分佈與結晶方位分佈的解析提供更多的偵測選項。

3.      配備高速的能量分散能譜儀（SDD-EDS）與反彈電子繞射儀（EBSD）各一套，一般情形下可以 15-500 Hz 的速率同時分析試片的元素與結晶方位分佈。

儀器規格說明

電子顯微鏡：Zeiss Supra 55

加速電壓：0.5~30 kV

解析度：1.0 nm (15 kV)、1.7 nm (1 kV)

放大倍率：12X to 1,000,000X

電子偵測儀: In column and in lens secondary electron detectors，Backscattered electron detector，Forwardscattered electron detector (x4)

能量分散能譜儀（EDS）：Oxford Aztech silicon drift detector (Mn Kα FWHM=125 eV )

反彈電子繞射儀（EBSD）：Oxford AztechHKL (Channel 5)

研究方向

服務項目

A.      二次電子像(Scanning Electron Image, SEI)，

B.      反彈電子像(Backscattering Electron Image, BEI)，

C.      前彈電子像(Forwardscattering Electron Image, FSEI)，搭配 EBSD 使用，

D.      單點 X 光能譜與定性/定量分析(EDS spectrum & qualitative/quantitative analysis)，分析元素：Z > Be，

E.       元素線掃描與面分佈(EDS line scan & mapping)，

F.       單點結晶結構與結晶方位鑑定(EBSD pattern for crystal structure & orientation characterization)，

G.      結晶結構與結晶方位線掃描與面分佈(crystal structure/ mapping)，

H.   EBSD 與 EDS   同時分析。

技術人員/學生

楊國裕

圖片

參考連結

https://www.facebook.com/groups/420042084673656/