國立中山大學材料與光電科學學系

題目：氧化鉿摻雜鋯鐵電記憶體之切換機制研究

Investigation of the Switching Mechanism in HfZrOx  Ferroelectric Memory

講員：陳穩仲博士生(四年級)

時間：109年04月29日(週三)14:10-16:00

地點：國研大樓華立廳