國立中山大學材料與光電科學學系

題目：銦錫氧化物摻釓作為薄膜電阻式記憶體之切換特性研究

Resistance Switching Characteristics Induced by Gadolinium Dopant in Indium-Tin-Oxide as the Insulator in Resistive Random Access Memory

講員：林俊曲博士生(四年級)

時間：109年04月29日(週三)14:10-16:00

地點：國研大樓華立廳