第三代半導體材料「碳化矽」（SiC）晶體已被視為重要戰略物資，是發展電動車、6G通訊、國防、航太、綠能的關鍵要素。

由本系周明奇教授主持之晶體研究中心已成功長出6吋導電型N-type 4H碳化矽SiC單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370um／hr，晶體生長速度更快且具重複性，國內尚無其他研究單位或大學能做得到，標示著第三類半導體碳化矽向前推進的進程。

團隊已取得碳化矽晶體生長關鍵突破，將進一步透過技轉，為台廠補足半導體產業鏈最尖端的戰略know-how，第一階段將會技轉至長期產學合作的企業，善用研發成果助攻產業升級。

中山新聞網特別報導

https://news.nsysu.edu.tw/p/406-1120-304334,r2910.php?Lang=zh-tw&fbclid=IwAR2kPsFIB5xMsRPc_xQwzrSGsZxIfwM2R2wUsq77oBOH6i7jP3xcinx54ug